[发明专利]含氢硅烷衍生物、其制造方法及含硅薄膜的制造法

摘要

本发明提供一种在500℃以下的低温下即使不使用等离子体等也可以高效地制作含硅薄膜的材料。本发明使氯硅烷衍生物(3)和化合物M²Z(4)进行反应，制造通式(1’)所示的含氢硅烷衍生物，并以该含氢硅烷衍生物作为材料制造含硅薄膜，在通式(1’)中，R¹及R²分别独立地表示表示碳原子数3~12的烷基。在Z为异氰酸基或异硫氰酸基的情况下，M²表示钠原子等。在Z为氨基、NHR³所示的一取代氨基或NR⁴R⁵所示的二取代氨基的情况下，M²表示氢原子等。R³表示任选被氟原子取代的碳原子数1~12的烷基。R⁴及R⁵分别独立地表示表示碳原子数1~4的烷基。在Z为碳原子数2~6的链烯基的情况下，M²表示卤化镁基团。

主权项

1.通式(1)表示的含氢硅烷衍生物，[化学式1]式中，R¹及R²分别独立地表示碳原子数3~12的烷基，Za表示异氰酸基、异硫氰酸基、氨基、NHR³所示的一取代氨基、N(CH₃)R⁴所示的N-甲基-烷基氨基或碳原子数2~6的链烯基，R³表示任选被氟原子取代的碳原子数1~12的烷基，R⁴表示碳原子数1~4的烷基。