[发明专利]图案形成方法和聚合物合金基材有效
| 申请号： | 201180035598.2 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103003918A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 服部繁树;浅川钢儿;中村裕子;北川良太;清野由里子;菅野正洋;比嘉百夏 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B82B3/00;G03F7/26;G03F7/40;G03F7/42;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张蓉珺;林柏楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 聚合物 合金 基材 | ||
【主权项】：
一种图案形成方法，其包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；通过用能量束照射导致聚合物膜与自组装单层之间化学键合，由此在自组装单层上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有相分离结构图案的聚合物合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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