[发明专利]用于增强局部电场、光吸收、光辐射、材料检测的结构以及用于制作和使用此结构的方法有效

专利信息
申请号: 201180035425.0 申请日: 2011-05-20
公开(公告)号: CN103026298A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 斯蒂芬·Y.·周;李文迪 申请(专利权)人: 普林斯顿大学
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G01N27/26
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 周晓雨;俞波
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了微米结构和纳米结构(100),其由基片(110)、以金属碟(130)盖顶的柱体(120)的阵列、敷设在柱体的侧壁上的金属点(簇群或颗粒)(140)以及金属背板(150)组成,其能够相互作用以增强局部电场、光的吸收和光的辐射。还公开了制造结构(100)的方法。还公开了增强结构表面上的分子和其他材料的检测中的光信号(如荧光、光致发光和表面增强拉曼散射(SERS))的结构的应用。
搜索关键词: 用于 增强 局部 电场 光吸收 光辐射 材料 检测 结构 以及 制作 使用 方法
【主权项】:
一种用于利用增强结构(100)增强物质的特性的检测的方法,其包括:将所述物质置于所述增强结构(100)附近或与之接触;利用光照射所述物质和/或所述增强结构(100);检测从所述物质辐射的光;以及其中所述增强结构(100)由如下组成·基片(110);·从所述基片(110)的表面延伸的至少一个纳米柱体(120);·位于每个所述柱体(120)的顶部上的纳米级金属碟(130);·位于每个所述柱体的底部的金属背板(150),所述金属背板覆盖所述基片表面的大部分;以及·位于每个所述柱体的外部垂直表面(120s)上的至少一个纳米级金属点结构(140)。
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