[发明专利]具有减少的离子流的预清洁腔室有效
| 申请号: | 201180034795.2 | 申请日: | 2011-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN103003926A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
| 发明(设计)人: | 约翰·C·福斯特;何泰宏;穆拉利·K·纳拉辛汉;傅新宇;孙达雷吉恩·阿尔温德;郭晓曦 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本文公开用于处理基板的设备。在某些实施例中,基板处理系统可包括处理腔室、基板支撑件及等离子体过滤器。该处理腔室具有用来接收等离子体的第一空间以及用来处理基板的第二空间。该基板支撑件设置于第二空间中。该等离子体过滤器设置于处理腔室中并且在第一空间及第二空间之间,使得形成在第一空间的等离子体可仅从第一空间经由等离子体过滤器而流进第二空间。在某些实施例中,基板处理系统包括耦接至处理腔室的处理套件,其中等离子体过滤器设置于处理套件中。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 减少 离子 清洁 | ||
【主权项】:
一种基板处理系统,所述基板处理系统包括:处理腔室,所述处理腔室具有用来接收等离子体的第一空间和用于处理基板的第二空间;基板支撑件,所述基板支撑件设置于所述第二空间中;和等离子体过滤器,所述等离子体过滤器设置于所述处理腔室中并且在所述第一空间与所述第二空间之间,使得形成于所述第一空间中的等离子体可仅从所述第一空间经由所述等离子体过滤器而流进所述第二空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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