[发明专利]电阻式随机存取存储器装置及方法

摘要

本发明包含一种高密度电阻式随机存取存储器RRAM装置以及制作高密度RRAM装置的方法。一种形成RRAM装置的方法包含形成具有金属-金属氧化物界面的电阻式元件。形成所述电阻式元件包含在第一电极上方形成绝缘材料及在所述绝缘材料中形成通孔。用金属材料保形地填充所述通孔并将所述金属材料平面化到所述通孔内。选择性地处理所述通孔内的所述金属材料的一部分以在所述通孔内形成金属-金属氧化物界面。在所述电阻式元件上方形成第二电极。

主权项

一种形成电阻式随机存取存储器RRAM装置的方法，其包括：在第一电极上方形成电阻式元件，其中形成所述电阻式元件包含：在所述第一电极上方形成绝缘材料；在所述绝缘材料中形成通孔；用金属材料保形地填充所述通孔；将所述金属材料平面化到所述通孔内；及选择性地处理所述通孔内的所述金属材料的一部分以在所述通孔内形成金属‑金属氧化物界面；及在所述电阻式元件上方形成第二电极。