[发明专利]使用吸附固浸透镜的吸附器的半导体器件的观察方法有效
| 申请号: | 201180031209.9 | 申请日: | 2011-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN102947922A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
| 发明(设计)人: | 寺田浩敏;松浦浩幸 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明的吸附器(10)包含:主体部,其具有配置形成有半导体器件(D)的半导体晶圆(W)的第1面(13)、及与第1面(13)为相反侧的面的第2面(14),且形成有贯通第1面(13)与第2面(14)的贯通孔(15);以及透光部,其具有供来自半导体器件(D)的光入射的光入射面(16)、及供自光入射面(16)入射的光出射的光出射面(17),且嵌合于贯通孔(15)。而且,在第1面(13)上形成有用于将半导体晶圆(W)真空吸附而将半导体器件(D)固定于光入射面(16)的第1吸附槽(13a),在第2面(14)上形成有用于将固浸透镜(S)真空吸附而固定于光出射面(17)的第2吸附槽(14a)。 | ||
| 搜索关键词: | 使用 吸附 浸透 半导体器件 观察 方法 | ||
【主权项】:
一种吸附器,其特征在于:是用于使用固浸透镜进行半导体器件的观察的半导体器件观察装置的吸附器,具备:主体部,其具有配置形成有所述半导体器件的半导体晶圆的第1面、及作为与所述第1面为相反侧的面的第2面,且形成有贯通所述第1面与所述第2面的贯通孔;及透光部,其具有供来自所述半导体器件的光入射的光入射面、及供自所述光入射面入射的光出射的光出射面,所述透光部以所述光入射面露出于所述第1面侧、且所述光出射面露出于所述第2面侧的方式嵌合于所述贯通孔,在所述第1面上形成有第1吸附槽,其用于将所述半导体晶圆真空吸附而将所述半导体器件固定于所述光入射面,在所述第2面上形成有第2吸附槽,其用于将所述固浸透镜真空吸附而固定于所述光出射面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





