[发明专利]用于感测光子的设备和方法有效
| 申请号： | 201180031015.9 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102986030A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | M·乌蒂莱南;M·鲁瓦拉;P·帕萨南 | 申请（专利权）人： | 诺基亚公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L51/00;H01L51/44;B82Y15/00;H01L31/0256 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;董莘 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 根据本发明的一个示例性实施例，提供一种设备，该设备包括：布置于彼此上面的多个光子感测层(111，112，113)；以及在每两个相邻感测层之间的中间层(121，122，123)，所述感测层(111，112，113)为石墨烯，并且每个中间层(121，122，123)被配置成防止光的相应颜色成分继续进入它旁边的光子感测层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测光 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：布置于彼此上面的多个光子感测层；以及在每两个相邻感测层之间的中间层，所述感测层为石墨烯，并且每个中间层被配置成防止光的相应颜色成分继续进入它旁边的光子感测层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
