[发明专利]等离子体电解氧化涂层中的铜或痕量金属污染物的减少有效
| 申请号： | 201180027467.X | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN103038399A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 陈星;冀成相;戴谬瑛 | 申请（专利权）人： | MKS仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/48 | 分类号： | C25D5/48;C25D11/04;C23C16/44;H01J37/16;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在半导体加工系统中在物体的表面上形成氧化物层的方法，所述物体包含铝和铜，所述氧化物层具有降低的铜浓度。使用等离子体电解氧化法制备的氧化物层具有降低的铜浓度峰值，这降低了铜污染的风险，并且所述氧化物层包括氧化镁，所述氧化镁在接触受激发的含卤素的气体或含卤素的等离子体时可转化为卤化镁，以增加所述氧化物层的耐侵蚀/腐蚀性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 电解 氧化 涂层 中的 痕量 金属 污染物 减少 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体加工系统中在物体的表面上形成氧化物层的方法，所述物体包含铝、铜和镁，该方法包括：提供所述物体，所述物体包括本体材料，所述本体材料具有以下特征：本体铜浓度为约0‑0.1重量％；并且本体镁浓度为大于约1.5重量％，以及使用等离子体电解氧化法将所述物体的表面氧化，以形成包含氧化铝和氧化镁的氧化物层。
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