[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201180026176.9 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103477439A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 工藤千秋;庭山雅彦;池上亮 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，具备设于体区(104)的第二导电类型的接触区(201)，并且接触区(201)包括：与第一欧姆电极(122)接触的第一区域(201a)、和在比第一区域(201a)更深的位置上所配置且与体区(104)接触的第二区域(201b)，第一区域(201a)和第二区域(201b)分别具有至少1个杂质浓度的峰值，第一区域(201a)的杂质浓度的峰值是比第二区域(201b)的杂质浓度的峰值高的值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其中，具备：第一导电类型的半导体基板，其具有主面和背面，且含有碳化硅；第一导电类型的第一外延层，其设置在所述半导体基板的主面上，且含有碳化硅；第二导电类型的体区，其设置在所述第一外延层；第一导电类型的杂质区，其按照与所述体区接触的方式设置；第二导电类型的接触区，其设置在所述体区；第一欧姆电极，其与所述接触区接触；栅极绝缘膜，其设置在所述体区的至少一部分的上方；和栅极电极，其设置在所述栅极绝缘膜上，并且，所述接触区包含：与所述第一欧姆电极接触的第一区域、和在比所述第一区域深的位置所配置且与所述体区接触的第二区域，所述第一区域和所述第二区域在深度方向，分别具有至少1个杂质浓度的峰值，所述第一区域中的所述至少1个杂质浓度的峰值，是比所述第二区域中的所述至少1个杂质浓度的峰值高的值，所述第二区域的底面设置在：比所述杂质区的底面深、且比所述体区的底面浅的位置。
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