[发明专利]用于硅膜的选择性蚀刻

摘要

在此描述一种蚀刻图案化异质含硅结构的方法，相比于现有远端等离子体蚀刻，所述方法包含具有反向选择性的远端等离子体蚀刻。可使用所述方法共形修整多晶硅，同时移除少量氧化硅或不移除氧化硅。更一般地来说，包含少量氧的含硅膜层会比含有较多氧的含硅膜层更快速地被移除。其他示例性的应用包含修整碳氮化硅(silicon carbon nitride)膜时，基本保留氧碳化硅(siliconoxycarbide)。可利用本文所描述的方法以及崭新的工艺流程来实施此应用。期望此工艺流程能够适用于各种更精细的线宽结构。亦可使用在此所描述的方法，以比蚀刻具有较高浓度氮的含氮硅膜层更快的速度来蚀刻含硅膜层。

主权项

一种在基板处理腔室的基板处理区域中蚀刻图案化基板的方法，其中所述图案化基板具有曝露的含氧硅区域与曝露的含硅区域，所述含硅区域包括比所述含氧硅区域少的氧，所述方法包括：将含氟前驱物流入与所述基板处理区域流体耦合的远端等离子体区域中，同时在所述第一等离子体区域中形成等离子体，用以产生等离子体流出物；以及藉由将所述等离子体流出物流入所述基板处理区域中，以比蚀刻所述含氧硅区域快的速度来蚀刻所述含硅区域。