[发明专利]手性拓扑超导体中的π / 8栅极的平面实现的方法无效

专利信息
申请号: 201180025258.1 申请日: 2011-05-20
公开(公告)号: CN102985935A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: P·邦德尔森;M·弗里德曼;C·纳亚克;K·沃克;L·菲德科沃斯基 申请(专利权)人: 微软公司
主分类号: G06N99/00 分类号: G06N99/00;H01L39/00;H01B12/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 罗婷婷
地址: 美国华*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 此处公开了在拓扑上受保护的π/8栅极,该栅极当与通过准粒子编织以及平面准粒子干涉测量法获得的栅极相结合时变为通用的。公开了扭曲干涉仪,以及借助于该扭曲干涉仪实现的CTS中的平面π/8栅极。在ISH所支持的状态X(CTS)的上下文中描述了各实施例,但是扭曲干涉仪的概念更一般并且与所有阴离子(即,准粒子)系统具有相关性。
搜索关键词: 手性 拓扑 超导体 中的 栅极 平面 实现 方法
【主权项】:
一种扭曲干涉仪,包括:源极、第一漏极以及第二漏极;第一真空和第二真空之间的第一隧穿路径;所述第一真空和第三真空之间的第二隧穿路径;所述第二真空和所述第三真空之间的第三隧穿路径,其中,在所述源极和所述漏极之间维护有偏压,以便电流围绕所述真空的边缘流动。
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