[发明专利]带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201180022058.0 | 申请日: | 2011-03-03 |
公开(公告)号: | CN102947954B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 阿道夫·闵塞尔;安德里亚斯·特佩;简·薛昂;莱因赫德·舒勒索尔;史蒂芬·科勒尔 | 申请(专利权)人: | RCT溶液有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0687 |
代理公司: | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人: | 李强 |
地址: | 德国康斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 用于制造太阳能电池(70)的方法,其中包括介电层(74,76)的一个叠层(74,76)被加到(14,16;54,56)一个太阳能电池基底(72)的背面,且该叠层(74,76)被加热和保持在至少700°C的温度下至少5分钟。本发明还涉及一种太阳能电池(70)。 | ||
搜索关键词: | 带有 介电背 反射 覆层 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
用于制造太阳能电池的方法,其中‑把介电层构成的一个叠层加到一个太阳能电池基底的背面,‑在所述叠层上形成本地开口,‑在所述叠层上广泛地施加一种金属介质,使该金属介质被部分地注入所述本地开口,‑烧制所述太阳能电池基底,以在所述本地开口中形成欧姆接触,‑在烧制期间,设置在所述叠层上的金属介质的部分通过所述叠层的烧穿得到了阻止,‑借助一种蚀刻介质在所述太阳能电池基底的正面施加纹理,‑在所述金属介质被加到所述叠层上之前所述叠层被加热并在至少700℃的温度下被保持至少5分钟,其特征在于‑在所述把叠层加到太阳能电池基底的背面的步骤之前,所述太阳能电池基底的背面被一种平滑蚀刻溶液或一种抛光蚀刻溶液所蚀刻,‑在所述把叠层施加到太阳能电池基底的背面的步骤之后,太阳能电池基底的正面被施加纹理,且在施加纹理期间所述叠层被用作太阳能电池基底的背面的蚀刻掩膜,所述叠层具有厚度小于200nm的氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的