[发明专利]外延基板以及外延基板的制造方法

摘要

本发明提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良的外延基板。该外延基板，在作为（111）取向的单晶硅基板上，以使（0001）结晶面与基底基板的基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，其中所述外延基板包括：缓冲层，具有交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1-xN（0≦x＜1）构成的第二组分层而成的组分调制层，结晶层，形成在缓冲层上；将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n（n为2以上的自然数），并将从基底基板侧的第i个第二组分层的x的值设为x（i）时，使其x（1）≧x（2）≧···≧x（n-1）≧x（n），并且x（1）＞x（n）的方式形成，从而具有越远离基底基板越变大压缩应变。

主权项

一种外延基板，在作为（111）取向的单晶硅的基底基板上，以使（0001）结晶面与所述基底基板的基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其特征在于，所述外延基板包括：缓冲层，其具有交替层叠由AlN构成的第一组分层和由组分为AlxGa1‑xN的III族氮化物构成的第二组分层而形成的组分调制层，其中x满足0≦x＜1，结晶层，其形成在所述缓冲层上；所述组分调制层以如下方式形成：将所述第一组分层和所述第二组分层的层叠数分别设为n，并将从所述基底基板侧开始第i个所述第二组分层的x的值设为x（i）时，x（1）≧x（2）≧···≧x（n‑1）≧x（n），并且x（1）＞x（n）从而所述组分调制层中越远离所述基底基板的所述第一组分层和所述第二组分层具有越大的压缩应变；其中所述n为2以上的自然数。