[发明专利]半导体元件、半导体元件的制造方法、有源矩阵基板及显示装置有效
| 申请号： | 201180019812.5 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102859702A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 松木园广志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体元件包括：形成有沟道部的氧化物半导体膜；和与沟道部相对配置的栅极部。而且，在氧化物半导体膜形成有：氧化物半导体膜被低电阻化处理而形成的漏极部；和设置于漏极部与沟道部之间且不被低电阻化处理的中间区域，半导体元件还包括在至少一部分遮蔽对中间区域的低电阻化处理的导电性膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 有源 矩阵 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包括：形成有沟道部的氧化物半导体膜；和与所述氧化物半导体膜的沟道部相对配置的栅极部，其中，在所述氧化物半导体膜形成有：该氧化物半导体膜被低电阻化处理而形成的漏极部；和设置于该漏极部与所述沟道部之间且不被低电阻化处理的中间区域，所述半导体元件包括配置为覆盖所述中间区域使得该中间区域不被低电阻化处理的导电性膜。
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