[发明专利]硅硼烷注入方法

摘要

用于将硅硼烷分子或所选离子化的较低质量副产物注入到工件中的方法，一般包括在离子源中汽化和离子化硅硼烷分子，以形成等离子体和产生硅硼烷分子及其离子化的较低质量副产物。然后提取该等离子体中的离子化的硅硼烷分子和较低质量副产物以形成离子束。该离子束用质量分析器磁体进行质量分析，以允许所选择的离子化的硅硼烷分子或所选择的离子化的较低质量副产物由其通过并注入到工件中。

主权项

一种用于注入硅硼烷分子的方法，所述方法包括：在离子源中汽化和离子化硅硼烷分子，以生成等离子体以及产生离子化的硅硼烷分子和离子化的较低质量副产物；通过源孔口提取所述等离子体中的所述离子化的硅硼烷分子和所述离子化的较低质量副产物以形成离子束；用质量分析器磁体对所述离子束进行质量分析，以允许所述离子化的硅硼烷分子或所选择的离子化质量的所述较低质量副产物由其通过；传输所述离子束和/或任选地施加额外的加速或减速电势以设置最终能量；以及将所述离子化的硅硼烷分子或所选择的离子化质量的所述较低质量副产物注入到工件中。