[发明专利]电子材料用Cu-Si-Co系合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201180018873.X | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102844452A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 恩田拓磨 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/05;C22F1/08;H01B1/02;C22F1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 林毅斌;林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供导电性及强度的平衡性改良的Cu-Si-Co系合金。本发明的电子材料用铜合金，其含有0.5~4.0质量%的Co及0.1~1.2质量%的Si，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Co和Si的质量%比(Co/Si)为3.5≤Co/Si≤5.5，不连续析出(DP)单元的面积率为5%以下，不连续析出(DP)单元的最大宽度的平均值为2μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 材料 cu si co 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
电子材料用铜合金，其含有0.5~4.0质量%的Co及0.1~1.2质量%的Si，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Co和Si的质量%比(Co/Si)为3.5≤Co/Si≤5.5，不连续析出(DP)单元的面积率为5%以下，不连续析出(DP)单元的最大宽度的平均值为2μm以下。
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