[发明专利]在扩散P型区域上方形成负电荷钝化层的方法无效
| 申请号： | 201180018103.5 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102834930A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·P·斯图尔特;穆库·阿格瓦;罗西特·米沙拉;希曼特·芒格卡;蒂莫西·W·韦德曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明大体提供了一种于p-型掺杂区域上形成高质量钝化层的方法，以形成高效能太阳能电池装置。本发明的实施例可特别有利于制备形成于硅基板中硼掺杂区域的表面。在一个实施例中，该方法包括下列步骤：将太阳能电池基板的表面暴露至等离子体，以清洁并改变该表面的物事、化学及/或电性特征，并随后于其上沉积带电的介电层及钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 区域 上方 形成 负电荷 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种形成太阳能电池装置的至少一部分的方法，包含下列步骤：形成第一层，该第一层具有负电荷位在形成于太阳能电池基板中的p‑型掺杂区域的表面上；以及于该第一层上形成体层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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