[发明专利]薄膜晶体管器件以及薄膜晶体管器件的制造方法无效
| 申请号： | 201180017713.3 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103053026A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 岸田悠治;林宏;川岛孝启;西田健一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐健;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管器件以及薄膜晶体管器件的制造方法，本发明的薄膜晶体管器件（10）是底栅型的薄膜晶体管器件，具备：形成于基板（1）上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上、具有沟道区域的结晶硅薄膜（4）；形成于包含沟道区域的结晶硅薄膜上的非晶硅薄膜（5）；以及形成于非晶硅薄膜上方的源电极（8S）和漏电极（8D），非晶硅薄膜的光学带隙与薄膜晶体管器件的截止电流具有正的相关关系。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种底栅型的薄膜晶体管器件，具备：栅电极，其形成于基板上；栅极绝缘膜，其形成于所述栅电极上；结晶硅薄膜，其形成于所述栅极绝缘膜上，具有沟道区域；非晶硅薄膜，其形成于包含所述沟道区域的所述结晶硅薄膜上；以及源电极和漏电极，其形成于所述非晶硅薄膜上方，所述非晶硅薄膜的光学带隙与所述薄膜晶体管器件的截止电流具有正的相关关系。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180017713.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多层共挤抗凝血高阻隔热收缩薄膜及其制备方法
- 下一篇：智能药柜电路装置
- 同类专利
- 专利分类
