[发明专利]发光装置无效
| 申请号： | 201180017076.X | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102823002A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 木岛直人;横尾敏明;胜本觉成;树神弘也;与安史子 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种发光装置，该发光装置通过减少荧光体彼此之间的光的自吸收，并且减少密封树脂对荧光的吸收而提高了荧光体的发光效率，并且防止荧光体的光散射而提高了来自荧光体层的光的取出效率。发光装置构成为具有半导体发光元件和荧光体层，其中，通过形成荧光体层所包含的荧光体的粒度分布和荧光体层所包含的荧光体的填充率为特定值的致密的荧光体层，由此解决了其课题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种发光装置，其构成为具有半导体发光元件和荧光体层，该发光装置的特征在于，（i）所述半导体发光元件发出具有350nm以上520nm以下的波长的光，（ii）所述荧光体层包含荧光体，该荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光，（iii）所述荧光体层含有体积填充率为15%以上的所述荧光体，（iv）在所述荧光体层中，所述荧光体的体积基准的平均粒径Dv与个数基准的平均粒径Dn之比（Dv/Dn）为1.2以上25以下。
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