[发明专利]用于在疏水性材料的表面上提供金属电极的方法无效
| 申请号： | 201180014978.8 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102918632A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 黄吉卿;D·S·阿里尤;S·雷尼尔 | 申请（专利权）人： | 皮埃尔和玛利居里大学（巴黎第六大学);中央科学研究中心 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/288;C01B31/02;H01L29/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供一种在疏水性材料（7）的表面上制造金属电极的方法，该方法包括以下步骤：使得毛细管（5）的一端靠近材料（7）的表面的一个区域，所述毛细管（5）含有包含了溶解在溶剂中的金属颗粒的流体；用激光辐射（3）来辐射所述区域从而引起以下作用：使得来自毛细管的流体液滴流动，使得所述液滴沉积到所述区域上，使得液滴中所含溶剂蒸发，并使得材料表面上的金属颗粒发生退火从而产生了电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 疏水 材料 表面上 提供 金属电极 方法 | ||
【主权项】：
一种在疏水性材料（7）的表面上制造金属电极的方法，该方法包括以下步骤：使得含流体的毛细管（5）的一端靠近材料（7）的表面区域，所述流体包含溶解在溶剂中的金属颗粒；以及通过激光辐射（3）的方法照射所述区域从而具有以下作用：引起来自毛细管的流体液滴流动，使得液滴沉积到所述区域上，使得液滴中所含的溶剂发生蒸发，并使得材料表面上的金属颗粒发生退火从而形成电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
