[发明专利]具有错误校正的复合半导体存储设备无效

专利信息
申请号: 201180014974.X 申请日: 2011-03-02
公开(公告)号: CN102812519A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 金镇祺 申请(专利权)人: 莫塞德技术公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要: 一种复合半导体存储设备,其包括:多个非易失性存储设备;以及接口设备,其连接到所述多个非易失性存储设备并用于连接到存储控制器,该接口设备包括纠错编码(ECC)引擎。另外,一种存储系统,其包括:存储控制器;以及至少一个复合半导体存储设备,其被配置为由所述存储控制器写入和读取并包括内置纠错编码(ECC)引擎。另外,一种存储系统,其包括:复合半导体存储设备,其包括多个非易失性存储设备;以及存储控制器,其连接到至少一个复合半导体存储设备,用于向复合半导体存储设备发布读取和写入命令,以促使数据被写入所述非易失性存储设备中的特定一些或者被从所述非易失性存储设备中的特定一些中读取;该复合半导体存储设备提供数据的无错误写入和读取。
搜索关键词: 具有 错误 校正 复合 半导体 存储 设备
【主权项】:
一种复合半导体存储设备,包括:多个非易失性存储设备;以及连接到所述多个非易失性存储设备并用于连接到存储控制器的接口设备,该接口设备包括纠错编码(ECC)引擎。
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