[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180013968.2 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102804342A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 玉祖秀人 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 电极层(16)设置在碳化硅衬底（90）上并与其接触，并且具有Ni原子和Si原子。Ni原子的数量至少为Ni原子和Si原子的总数的67％。至少电极层（16）的与碳化硅衬底（90）接触的一侧包含Si和Ni的化合物。在电极层（16）的表面侧上，C原子浓度小于Ni原子浓度。因此，可以实现提高电极层（16）的电导率以及抑制电极层（16）表面处的C原子析出两者。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：碳化硅衬底(90)；以及电极层(16)，所述电极层(16)位于所述碳化硅衬底上并与所述碳化硅衬底接触，并且具有Ni原子和Si原子，所述Ni原子的数量不小于所述Ni原子和所述Si原子的总数的67％，至少所述电极层的与所述碳化硅衬底接触的一侧包含Si和Ni的化合物，以及在所述电极层的表面侧上，C原子浓度低于Ni原子浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180013968.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种挂式牙缸
- 下一篇：一种具有防倾倒功能的杯子
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
