[发明专利]氮化物系半导体发光元件有效
| 申请号： | 201180013144.5 | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102792533A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 小谷靖长 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01L33/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于抑制半导体发光元件的正向电压，且达成高效率。本发明的氮化物系半导体发光元件具有基板、和在所述基板上夹着活性区域而层叠的n型半导体层及p型半导体层，所述活性区域包含用于构成多重量子阱构造的阻挡层；以及最终阻挡层，该最终阻挡层的膜厚比所述阻挡层的膜厚厚，且设置在与所述p型半导体层最近的一侧，在构成所述多重量子阱构造的阻挡层中，与所述最终阻挡层邻接的2个阻挡层的平均膜厚比其他的阻挡层的平均膜厚薄。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体发光元件，其具有基板、以及在所述基板上夹着活性区域而层叠的n型半导体层及p型半导体层，所述氮化物系半导体发光元件的特征在于，所述活性区域包含：阻挡层，其用于构成多重量子阱构造；以及最终阻挡层，其具有比所述阻挡层的膜厚厚的膜厚，且设置在与所述p型半导体层最近的一侧，在构成所述多重量子阱构造的阻挡层中，与所述最终阻挡层邻接的2层的阻挡层的平均膜厚比其他的阻挡层的平均膜厚薄。
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