[发明专利]光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 201180011338.1 | 申请日： | 2011-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102771023A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·艾克勒;特雷莎·莱尔默;亚德里恩·斯特凡·阿夫拉梅斯库 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;高少蔚 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括支承体（2）和生长在支承体（2）上的半导体层序列（3）。半导体层序列（3）基于氮化物化合物半导体材料，并且包括至少一个用于产生电磁辐射的有源区（4）以及至少一个波导层（5），所述波导层间接地或直接地邻接到有源区（4）上，其中形成波导（45）。此外，半导体层序列（3）包括在有源区（4）的n掺杂的侧上的n包层（6n）或/和在p掺杂的侧上的邻接到波导层（4）上的p包层（6p）。波导层（5）间接地或直接地邻接包层（6n、6p）。在此，在波导中引导的模式（M）的有效折射率（neff）大于支承体（2）的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
光电子半导体芯片（1），所述光电子半导体芯片包括支承体（2）和设置在所述支承体上的、基于氮化物化合物半导体材料的半导体层序列（3），所述半导体层序列具有‑至少一个有源区（4），所述有源区设置用于产生电磁辐射，‑至少一个波导层（5），所述波导层邻接于所述有源区（4），其中形成波导（45），和‑所述有源区（4）的n掺杂侧处的n包层（6n）和/或邻接于所述波导层（5）的p掺杂侧处的p包层（6p），其中在所述波导（45）中引导的模式的有效折射率大于所述支承体（2）的折射率。
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