[发明专利]利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法以及电极部件

摘要

本发明提供一种能够稳定且精度良好地得到具有规定表面凹凸的基材的利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法，以及通过这样的形成方法得到的电极部件。本发明涉及，在进行等离子体蚀刻处理时，将具有微细的表面凹凸并且进行了部分氧化的金属盐膜作为保护膜使用，在基材上形成规定的表面凹凸图案的表面凹凸形成方法等，所述表面凹凸形成方法包括：对基材涂布含金属盐液态物，形成金属盐膜的第1工序；在金属盐膜上形成微细的表面凹凸，并且进行部分氧化，形成保护膜的第2工序，将基材与保护膜一起进行等离子体蚀刻处理，在基材上形成规定的表面凹凸的第3工序。

主权项

一种利用了等离子体蚀刻处理的表面凹凸形成方法，其特征在于，是在进行等离子体蚀刻处理时，将具有表面凹凸并且进行了部分氧化的金属盐膜作为保护膜使用，在基材上形成表面凹凸图案的表面凹凸形成方法，包括下述第1工序～第3工序，(1)对所述基材涂布含金属盐液态物，形成所述金属盐膜的第1工序，(2)在所述金属盐膜上形成表面凹凸，并且进行部分氧化，形成所述保护膜的第2工序，(3)将所述基材与所述保护膜一起进行等离子体蚀刻处理，在所述基材上形成表面凹凸的第3工序。