[发明专利]基于异常光导(EOC)效应的高分辨率光子检测方法和装置无效

专利信息
申请号: 201180009952.4 申请日: 2011-01-07
公开(公告)号: CN102763229A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: S·A·索林;S·A·威克莱恩;A·S·纽瓦兹;K·D·华莱士 申请(专利权)人: 华盛顿大学
主分类号: H01L31/08 分类号: H01L31/08
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明人公开了一种新的高性能光学传感器,优选地具有纳米级尺度,其在室温下基于异常光导(EOC)现象工作,并且优选地基于反向EOC(I-EOC)现象,其位于具有半导体/金属界面的金属半导体混合(MSH)结构中。这一设计表现出仅由半导体所不能展现出的高效光子感应。在示例性实施例的实验中,使用氦氖激光辐射的超高空间分辨率的四探针光导测量展现出非常大的光导性质,对于250nm器件,观察到了9460%EOC的最大测量值。这一示例性EOC器件还体现了特定的检测分辨率,其在632nm光照下高于5.06×1011cm√Hz/W,以及40dB的高动态响应,从而使得该传感器对广泛的实际应用都具有技术上的竞争力。
搜索关键词: 基于 异常 eoc 效应 高分辨率 光子 检测 方法 装置
【主权项】:
一种装置,包括:半导体层;位于所述半导体层的表面上的金属分路,从而限定半导体/金属界面,其中所述半导体层表面的一部分没有被所述金属分路覆盖,并且其中所述半导体层和所述金属分路在基本上平行的平面内但不是共面;以及其中所述半导体/金属界面配置为响应于所述半导体/金属界面被光学扰动所扰动而展示其电阻变化。
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