[发明专利]切片及芯片键合带以及带粘接剂层的半导体芯片的制造方法无效
申请号: | 201180009374.4 | 申请日: | 2011-02-08 |
公开(公告)号: | CN102844843A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 石丸维敏 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/304;H01L21/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种能够将粘接剂层(3)高精度地进行切片,能够提高带粘接剂层的半导体芯片的拾取性的切片及芯片键合带。切片及芯片键合带(1)具备粘接剂层、和叠层于粘接剂层的一面(3a)的基体材料层(4)。在进行切片时,在基体材料层的外周部分贴合切片环(26)。基体材料层在外周部分具有贴合起点(4C)。将除贴合起点外的部分的基体材料层的贴合于切片环的部分的宽度设为W(mm)、将除贴合起点外的部分的基体材料层的外径设为D(mm)时,从基体材料层的贴合起点侧的外周前端朝向内侧处于0.3W(mm)的距离的位置的贴合起点的长度L(mm)在0.30D~0.44D(mm)的范围内。 | ||
搜索关键词: | 切片 芯片 键合带 以及 带粘接剂层 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种切片及芯片键合带,其具有:粘接剂层以及叠层于所述粘接剂层的一面的基体材料层,在进行切片时,切片环贴合在所述基体材料层的外周部分,所述基体材料层在外周部分具有贴合起点,该贴合起点在贴合开始时贴合于切片环,将除了所述贴合起点以外的部分的所述基体材料层的贴合于所述切片环的部分的宽度设为W(mm),将除了所述贴合起点以外的部分的所述基体材料层的外径设为D(mm)时,从所述基体材料层的所述贴合起点侧的外周前端起算,位于朝向内侧0.3W距离的位置上的所述贴合起点的长度L(mm)在0.30D~0.44D(mm)的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造