[发明专利]切片及芯片键合带以及带粘接剂层的半导体芯片的制造方法无效

专利信息
申请号: 201180009374.4 申请日: 2011-02-08
公开(公告)号: CN102844843A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 石丸维敏 申请(专利权)人: 积水化学工业株式会社
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301;H01L21/304;H01L21/52
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够将粘接剂层(3)高精度地进行切片,能够提高带粘接剂层的半导体芯片的拾取性的切片及芯片键合带。切片及芯片键合带(1)具备粘接剂层、和叠层于粘接剂层的一面(3a)的基体材料层(4)。在进行切片时,在基体材料层的外周部分贴合切片环(26)。基体材料层在外周部分具有贴合起点(4C)。将除贴合起点外的部分的基体材料层的贴合于切片环的部分的宽度设为W(mm)、将除贴合起点外的部分的基体材料层的外径设为D(mm)时,从基体材料层的贴合起点侧的外周前端朝向内侧处于0.3W(mm)的距离的位置的贴合起点的长度L(mm)在0.30D~0.44D(mm)的范围内。
搜索关键词: 切片 芯片 键合带 以及 带粘接剂层 半导体 制造 方法
【主权项】:
一种切片及芯片键合带,其具有:粘接剂层以及叠层于所述粘接剂层的一面的基体材料层,在进行切片时,切片环贴合在所述基体材料层的外周部分,所述基体材料层在外周部分具有贴合起点,该贴合起点在贴合开始时贴合于切片环,将除了所述贴合起点以外的部分的所述基体材料层的贴合于所述切片环的部分的宽度设为W(mm),将除了所述贴合起点以外的部分的所述基体材料层的外径设为D(mm)时,从所述基体材料层的所述贴合起点侧的外周前端起算,位于朝向内侧0.3W距离的位置上的所述贴合起点的长度L(mm)在0.30D~0.44D(mm)的范围内。
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