[发明专利]结晶性膜、器件、以及结晶性膜或器件的制造方法有效
| 申请号： | 201180008801.7 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102763192A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 会田英雄;青田奈津子;星野仁志;古田健次;浜元友三郎;本庄庆司 | 申请（专利权）人： | 并木精密宝石株式会社;株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海音科专利商标代理有限公司 31267 | 代理人： | 张立岩 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在从外延生长用衬底分离后消除了晶轴角度的偏差的结晶性膜、通过设有该结晶性膜而改善了特性的各种器件、以及结晶性膜和器件的制造方法；在作为外延生长用衬底的单晶衬底的面上通过外延生长形成厚度为300μm以上10mm以下的结晶性膜，接着，将结晶性膜从单晶衬底分离，对于分离后产生翘曲的结晶性膜的厚度方向的相对位置，在将翘曲成凹状侧的面假设为0％、翘曲成凸状侧的面假设为100％时，将脉冲激光汇聚在厚度方向的3％以上且小于50％的范围内的结晶性膜内部并进行扫描，从而利用基于脉冲激光的多光子吸收来形成改性区域图形，由此减少或消除结晶性膜的翘曲量，从而减少或消除晶轴角度的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种结晶性膜，其特征在于，厚度为300μm以上10mm以下，并在内部形成有改性区域图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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