[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明的太阳能电池的制造方法包含：在石墨基板上（101）的表面依次形成无定形碳层（102）、AlN层（103）和n型氮化物半导体层（105）的工序；在n型氮化物半导体层上形成具有多个开口部的掩模层（106）的工序；在从多个开口部露出的n型氮化物半导体层的部分上形成多个第二n型氮化物半导体层（107）的工序；在多个第二n型氮化物半导体层上形成由氮化物半导体构成的多个光吸收层（109）的工序；在多个光吸收层上形成多个p型氮化物半导体层（109）的工序；和形成p侧电极（111）的工序和形成n侧电极（112）的工序。

主权项

一种制造太阳能电池的方法，所述方法的特征在于，具备以下的工序：对石墨基板的表面进行氧灰化处理而在所述石墨基板的表面形成无定形碳层的工序；在所述无定形碳层上利用MOCVD形成AlN层的工序，其中MOCVD指有机金属化学气相沉积法；在所述AlN层上形成n型氮化物半导体层的工序；在所述n型氮化物半导体层上形成具有多个开口部的掩模层的工序；在从所述多个开口部露出的所述n型氮化物半导体层的部分上形成多个第二n型氮化物半导体层的工序；在所述多个第二n型氮化物半导体层上形成包含氮化物半导体的多个光吸收层的工序；在所述多个光吸收层上形成多个p型氮化物半导体层的工序；形成与所述多个p型氮化物半导体层电连接的p侧电极的工序；和形成与所述n型氮化物半导体层电连接的n侧电极的工序。