[发明专利]高温选择性融合接合的工艺与构造有效
| 申请号： | 201180007649.0 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102792419A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | P.阿鲁纳萨拉姆 | 申请（专利权）人： | 盾安美斯泰克股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种防止微机电系统装置内，更具体地说，防止在具有微米范围内或更小(亦即小于约10微米)的凹部内的可动构造在接合工艺期间内被不慎地接合至非运动构造的方法。该方法包括在构造方面和化学方面对硅进行表面制备，以帮助防止运动构造在接合期间(包括在高力量、高温度融合接合期间)内接合至相邻的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 选择性 融合 接合 工艺 构造 | ||
【主权项】：
一种选择性地制备用于选择性地融合接合的表面的方法，包括：a)对准表面和阴影掩模，以产生该表面的被遮蔽区域和未遮蔽区域；b)处理该表面的该未遮蔽区域，以防止融合接合；以及c)在步骤b)中的处理之后，从该表面移除该阴影掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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