[发明专利]经气体团簇离子束处理的电阻性装置有效
| 申请号： | 201180007199.5 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102725846A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 约翰·A·斯迈思三世;古尔特杰·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包含经GCIB处理的电阻性装置、利用经GCIB处理的电阻性装置的装置(例如，如开关、存储器单元)及用于形成所述经GCIB处理的电阻性装置的方法。一种形成经GCIB处理的电阻性装置的方法包含形成下部电极及在所述下部电极上形成氧化物材料。将所述氧化物材料暴露于气体团簇离子束GCIB直到所述氧化物材料的第一部分的电阻相对于所述氧化物材料的第二部分的电阻改变为止。在所述第一部分上形成上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 离子束 处理 电阻 装置 | ||
【主权项】：
一种用于形成经GCIB处理的电阻性装置的方法，其包括：形成下部电极；在所述下部电极上形成氧化物材料；将所述氧化物材料暴露于气体团簇离子束GCIB直到所述氧化物材料的第一部分的电阻相对于所述氧化物材料的第二部分的电阻发生改变为止；及在所述第一部分上形成上部电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180007199.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
