[发明专利]含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂用显影液、以及图形形成方法有效
| 申请号： | 201180005211.9 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102770812A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 井原孝;田口裕务 | 申请（专利权）人： | 东亚合成株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/32 | 分类号： | G03F7/32;G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京瑞盟知识产权代理有限公司 11300 | 代理人： | 刘昕 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种能够对设置于含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂进行显影的显影液、以及使用该显影液形成抗蚀图形的方法。通过使显影液含有选自无机酸、等电点小于7的氨基酸、具有两个以上羧基的羧酸中的一种以上的酸和/或其盐，能够抑制由于显影液的原因导致的含导电性高分子的基材的表面电阻增大，得到微细的抗蚀图形。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 高分子 基材 光致抗蚀剂用 显影液 以及 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种设置于含导电性高分子的基材上的光致抗蚀剂用显影液，其含有选自无机酸、等电点小于7的氨基酸、具有两个以上羧基的羧酸中的一种以上的酸和/或其盐、无机碱剂、以及溶剂。
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