[发明专利]薄膜晶体管阵列的制造方法、薄膜晶体管阵列以及显示装置无效
| 申请号： | 201180004138.3 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103109360A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 菅原祐太 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐健;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明供给一种薄膜晶体管阵列的制造方法、薄膜晶体管阵列以及显示装置。该制造方法包括：第三工序，在多个栅电极(12)上形成栅极绝缘层(13)；第四工序，在栅极绝缘层(13)上形成非晶硅层(14)；第五工序，使非晶硅层(14)结晶化而生成结晶硅层(15)；以及第六工序，形成源电极和漏电极(18)，在第三工序中，将多个栅电极(12)上的栅极绝缘层(13)的膜厚形成在使得栅电极(12)上的非晶硅层(14)对激光的光吸收率和栅极绝缘层(13)的等效氧化膜厚为正相关的区域的膜厚范围内，在第四工序中，将多个栅电极(12)上的非晶硅层(14)的膜厚形成在使得相对于非晶硅层(14)的膜厚变化的、光吸收率的变动从第一基准起处于预定范围内的区域的膜厚范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列的制造方法，包括：第一工序，准备基板；第二工序，在所述基板上形成多个栅电极；第三工序，在所述多个栅电极上形成栅极绝缘层；第四工序，在所述栅极绝缘层上形成非晶硅层；第五工序，使用从激光器照射的激光使所述非晶硅层结晶化而生成结晶硅层；以及第六工序，在所述多个栅电极各自的所述结晶硅层上的区域形成源电极和漏电极，在所述第三工序中，将所述多个栅电极上的所述栅极绝缘层的膜厚形成在使得所述栅电极上的所述非晶硅层对所述激光的光吸收率和所述栅极绝缘层的等效氧化膜厚为正相关的区域的膜厚范围内，在所述第四工序中，将所述多个栅电极上的所述非晶硅层的膜厚形成在使得相对于所述非晶硅层的膜厚变化的、所述光吸收率的变动处于与第一基准相比为预定范围内的区域的膜厚范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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