[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180003875.1 | 申请日： | 2011-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102687292A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 横川俊哉;大屋满明;山田笃志;加藤亮 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/28;H01L33/40;H01S5/042;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造(20)；和设置于p型GaN系半导体区域上的电极(30)。电极(30)包含由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型GaN系半导体区域的表面(12)相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体元件，具备：氮化物系半导体层叠构造，其具有p型GaN系半导体区域；和电极，其设置于所述p型GaN系半导体区域上，所述p型GaN系半导体区域中的主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上5°以下，所述电极包含Mg合金层，该Mg合金层与所述p型GaN系半导体区域的所述主面相接触，由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180003875.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：放电灯
- 下一篇：用于稳定混合桶的方法和装置
