[发明专利]非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列、以及其制造方法

摘要

包括：以与衬底平行，由第一导电层(13)、半导体层(17)和第二导电层(18)构成的层叠体(21)与层间绝缘膜(16)交替层叠的层叠结构；被配置为在层叠方向上贯通所述层叠结构的多个柱状电极(12)；以及，根据被施加到柱状电极(12)与第一导电层(13)之间的电信号而发生电阻值的可逆变化的电阻变化层(14)，电阻变化层(14)是第一导电层(13)的一部分被氧化而形成的。通过一个氧化工艺，在形成电阻变化层(14)的同时，形成用于使半导体层(17)、第二导电层(18)分别与柱状电极(12)电分离的绝缘膜。

主权项

一种非易失性存储单元，包括：柱状电极，被配置为与衬底主面垂直；第一导电层，被配置为与所述衬底主面平行；半导体层，被配置为在层叠方向上与所述第一导电层接触；第二导电层，被配置为在层叠方向上与所述半导体层接触；电阻变化层，被设置在所述柱状电极与所述第一导电层之间，且根据被施加的电信号而发生电阻值的可逆变化；氧化物绝缘层，被设置在所述柱状电极与所述半导体层之间，且具有与所述半导体层相同的母体元素；以及绝缘层，被设置在所述柱状电极与所述第二导电层之间。