[实用新型]一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管有效
| 申请号： | 201120531036.4 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN202695520U | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 朱彦旭;刘建朋;李翠轻;曹伟伟;丁艳 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/38;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 吴荫芳 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管。本实用新型包括上侧电极，高光提取的窗口层结构，接触层，上侧半导体限制层，多量子阱有源区，下侧电极，以及下侧半导体限制层；上侧电极，高光提取的窗口层结构，上侧半导体限制层，多量子阱有源区，下侧半导体限制层，接触层，下侧电极自上而下依次垂直连接；所述的高光提取的窗口层结构由半导体窗口层与接触层垂直连接构成。本实用新型通过采用垂直结构以及采用厚的半导体窗口层使GaN基发光二极管同时具有低工作电压和高光提取效率的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 提取 窗口 垂直 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管包括上侧电极、高光提取的窗口层结构、接触层、上侧限制层、多量子阱有源区、下侧电极、以及下侧限制层；上侧电极、高光提取的窗口层结构、上侧限制层、多量子阱有源区、下侧限制层、接触层、下侧电极自上而下依次垂直连接；所述的高光提取的窗口层结构由半导体窗口层与接触层垂直连接构成；所述的高光提取的窗口层结构中的半导体窗口层与上侧电极垂直连接，所述的高光提取的窗口层结构中的接触层与上侧限制层垂直连接；多量子阱有源区两侧的上侧电极与下侧电极的极性不同；多量子阱有源区一侧的上侧电极的极性、高光提取的窗口层结构的极性以及上侧限制层的极性相同，多量子阱有源区另一侧的下侧限制层的极性、接触层的极性以及下侧电极的极性相同。
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