[实用新型]一种多回路半导体致冷器件有效
申请号: | 201120510908.9 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN202434578U | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 方建军;陆东勇;吴永庆 | 申请(专利权)人: | 杭州大和热磁电子有限公司 |
主分类号: | H01L35/10 | 分类号: | H01L35/10;H01L35/28 |
代理公司: | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人: | 王兵;黄美娟 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种多回路半导体制冷器件,包括上基板、导电元件、导流片和下基板,所述上基板和下基板表面附着有导流片,所述导电元件串联后设置在上基板和下基板之间,形成单制冷回路,特点是多个所述的单制冷回路设置在一个制冷器件上。本实用新型不但可以满足使用者多元化制冷方案,从外型上看给使用者节省了空间,而且安装更加容易,更加方便。 | ||
搜索关键词: | 一种 回路 半导体 致冷 器件 | ||
【主权项】:
一种多回路半导体致冷器件,包括上基板、导电元件、导流片和下基板,所述上基板和下基板表面附着有导流片,所述导电元件串联后设置在上基板和下基板之间,形成单致冷回路,其特征在于:多个所述的单致冷回路设置在一个致冷器件上。
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