[实用新型]一种区熔法大直径单晶生长用单匝平板线圈有效
| 申请号： | 201120507750.X | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN202430318U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈海滨 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种区熔法大直径单晶生长用单匝平板线圈，它包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述的线圈骨架的上表面设有两级台阶，第二台阶直径小于第一台阶直径，第一台阶底部一端与第二台阶上边沿连接成斜面，与水平呈一倾斜角，第二台阶的底部一端和所述线圈骨架内圆上边沿连接成斜面，与水平呈一倾斜角度，所述的线圈骨架内圆下边沿和线圈下表面连接成斜面，与水平面呈一倾斜角度。该区熔法大直径单晶生长用线圈，本线圈可防止拉晶过程出现兜料的现象，同时改善熔区下方固液界面形状，并改善单晶的散热。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区熔法大 直径 生长 用单匝 平板 线圈 | ||
【主权项】：
一种区熔法大直径单晶生长用单匝平板线圈，它包括线圈骨架和线圈冷却水管，其特征在于：所述的线圈骨架的上表面设有两级台阶，第二台阶直径小于第一台阶直径，第一台阶底部一端与第二台阶上边沿连接成斜面，与水平呈一倾斜角，第二台阶的底部一端和所述线圈骨架内圆上边沿连接成斜面，与水平呈一倾斜角度，所述的线圈骨架内圆下边沿和线圈下表面连接成斜面，与水平面呈一倾斜角度。
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