[实用新型]一种大功率MOSFET驱动器有效
| 申请号： | 201120504305.8 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN202503492U | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 淡博;李金录 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨智木科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/78 | 分类号： | H03K17/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150076 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种大功率MOSFET驱动器，TTL式的MOSFET驱动信号，光电隔离器U1的输入单元，输入到比较器U2的负端，信号经比较后，再经限流电阻R5，输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上，Q1与Q2的射极输出相联，然后经限流保护电阻R6，再驱动大功率MOSFET，大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接，形成驱动电流回路，本实用新型具有驱动能力大，电气完全隔离，可驱动一个或是数十个到百个大功率MOSFET同时并联工作，性能稳定可靠，尤其是在精密大电流闭环场合，更能发挥其控制优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 mosfet 驱动器 | ||
【主权项】：
一种大功率MOSFET驱动器，具有以下特征：TTL式的 MOSFET驱动信号，经过低压电压和限流电阻R1，然后经光电隔离器U1的输入单元，实现输入信号的隔离，输出信号经过正电源，再经输出限流电阻R2，再经光电隔离器U1的输出单元，接入负地，这里的正负电源是一个专用的经隔离的电源，经隔离输出的信号再通过限流电阻R3，输入到比较器U2的负端，比较器U2的正端经电阻R3接到地，信号经比较后，再经限流电阻R5，输入到对管驱动器Q1和Q2的基极上，Q1与Q2的射极输出相联，然后经限流保护电阻R6，再驱动大功率MOSFET，大功率MOSFET的输出与驱动电路的地相接，形成驱动电流回路。
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