[实用新型]一种全透明氧化物薄膜晶体管有效
申请号: | 201120458847.6 | 申请日: | 2011-11-18 |
公开(公告)号: | CN202373588U | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 朱丽萍 | 申请(专利权)人: | 安徽康蓝光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/43 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 方峥 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种全透明氧化物薄膜晶体管,以氧化物半导体(IGZO或ZnO)薄膜作为沟道层,以ZnO:F透明导电薄膜作为栅极、源极和漏极的电极材料,以Ta2O5为栅极绝缘层,采用脉冲激光沉积法在衬底上制备顶栅结构的全透明薄膜晶体管。本实用新型的薄膜晶体管具有光敏退化性小、场效应迁移率高、响应速度快、电流开关比大、阈值电压低、可见光范围透过率高以及性能稳定好等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 透明 氧化物 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
一种全透明氧化物薄膜晶体管,包括衬底,其特征在于:在衬底上自下而上依次沉积有彼此相隔的源极和漏极电极材料、沟道层、栅极绝缘层、在栅极绝缘层上沉积栅极电极材料。
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