[实用新型]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201120398988.3 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN202405309U | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 藤金正树;井上彰;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/52;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的发光器件具有放射偏振光的氮化物半导体发光元件(402)、和覆盖氮化物半导体发光元件(402)的光提取面并含有树脂和分散在树脂内的非荧光体粒子的光提取控制层(404)，光提取控制层(404)以0.01vol％以上10vol％以下的比例含有非荧光体粒子，非荧光体粒子的直径为30nm以上150nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
发光器件，具备：氮化物半导体发光元件，其具有光提取面，并从所述光提取面放射偏振光；和光提取控制层，其覆盖所述氮化物半导体发光元件的所述光提取面，以树脂为母材，所述光提取控制层中分散有直径为30nm以上150nm以下的非荧光体粒子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120398988.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：线缆连接器组件
- 下一篇：利用RFID的数字信息显示器
