[实用新型]一种低功耗宽带低噪声放大器

摘要

一种低功耗宽带低噪声放大器，设有输入单元1、输入单元2、隔离单元3、隔离单元4以及负载单元5。输入单元1、输入单元2采用电流复用共栅结构，并在输入级的MOS管栅极到源极和衬底到源极进行了双交叉耦合，差分输入端通过输入单元1、输入单元2实现50欧姆输入阻抗。PMOS管产生的信号电流通过隔离单元4后与NMOS管产生的信号电流相叠加，再通过隔离单元3送至负载单元5，最终输出放大的电压差分信号。

主权项

一种低功耗宽带低噪声放大器，其特征在于：设有第一、第二两个输入单元、第一、第二两个隔离单元以及负载单元，差分射频输入信号的正、负两端分别连接第一、第二两个输入单元的正输入端及负输入端，第一、第二两个输入单元的输出端分别连接第一、第二两个隔离单元且第一、第二两个输入单元的输出端之间对应互连，第一隔离单元的输出连接负载单元，负载单元输出差分射频输出信号；其中：第一输入单元包括NMOS管M1、NMOS管M2、第一、第二两个电阻、第一、第二两个电容,NMOS管M1及NMOS管M2的栅极分别串联电阻第一电阻及第二电阻后均连接第一偏置电压,NMOS管M1的栅极串联第一电容后连接NMOS管M2的源极并与差分射频输入信号的负端连接，NMOS管M2的栅极串联第二电容后连接NMOS管M1的源极并与差分射频输入信号的正端连接，NMOS管M1的衬底连接NMOS管M2的源极，NMOS管M2的衬底连接NMOS管M1的源极；第二输入单元包括PMOS管M3、PMOS管M4、第三、第四两个电阻、第三、第四两个电容，PMOS管M3及PMOS管M4的栅极分别串联电阻第三电阻及第四电阻后均连接第二偏置电压，PMOS管M3的栅极串联第三电容后连接PMOS管M4的源极并与差分射频输入信号的负端连接 ，PMOS管M4的栅极串联第四电容后连接PMOS管M3的源极并与差分射频输入信号的正端连接，PMOS管M3的衬底连接PMOS管M4的源极，PMOS管M4的衬底连接PMOS管M3的源极；第一输入单元中NMOS管M1的漏极通过第五电容连接第二输入单元中PMOS管M3的漏极，第一输入单元中NMOS管M2的漏极通过第六电容连接第二输入单元中PMOS管M4的漏极；第一隔离单元包括第五NMOS管M5及第六NMOS管M6，第五NMOS管M5及第六NMOS管M6的源极分别连接第一输入单元中NMOS管M1及NMOS管M2的漏极，第五NMOS管M5及第六NMOS管M6的栅极均连接电源电压VDD；第二隔离单元包括第五、第六两个电阻，第五、第六电阻的一端分别连接第二输入单元中PMOS管M3及PMOS管M4的漏极，第五、第六电阻的另一端均接地；负载单元包括第七、第八两个电阻，第七、第八电阻的一端分别连接第一隔离单元中NMOS管M5及NMOS管M6的漏极，第七、第八电阻的另一端均连接电源电压VDD，第八、第七电阻的一端分别通过第七电容及第八电容分别输出正、负差分射频输出信号。