[实用新型]一种新型场效应晶体管单元有效
| 申请号： | 201120380196.3 | 申请日： | 2011-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN202268350U | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王金;黄泽军;张万召 | 申请（专利权）人： | 张万召 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型场效应晶体管单元，包括半导体基片，氧化扩散层、隐埋氧化层、隐埋氧化层将所述半导体基片分为上下两部分，所述下部为衬底，所述上部为顶层半导体；顶层半导体上设置栅极、源极、漂移区、漏极、沟道层,所述的栅极、源极短接;在半导体基片的硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层,所述栅极嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面,所述漏极接触负极面铝钛镍银金属层的顶面;该晶体管单元还具有一个源-基体接触沟槽;沟道层为P-ZNO薄膜,源极和漏极是掺杂浓度为1015～1022CM-3的N-ZNO薄膜。该该场效应晶体管可以适用于高温,强辐射的环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 场效应 晶体管 单元 | ||
【主权项】：
一种新型场效应晶体管单元，其特征在于，包括半导体基片，氧化扩散层、隐埋氧化层、隐埋氧化层将所述半导体基片分为上下两部分，所述下部为衬底，所述上部为顶层半导体；顶层半导体上设置栅极、源极、漂移区、漏极、沟道层,所述的栅极、源极短接;在半导体基片的硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层,所述栅极嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面,所述漏极接触负极面铝钛镍银金属层的顶面; 该晶体管单元还具有一个源‑基体接触沟槽; 沟道层为P‑ZNO薄膜,源极和漏极是掺杂浓度为1015～1022CM‑3的N‑ZNO薄膜。
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