[实用新型]多通道LDMOS器件有效
| 申请号： | 201120374842.5 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN202205754U | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 毛焜 | 申请（专利权）人： | 深圳市联德合微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人： | 王翀 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市艺园路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了多通道LDMOS器件。一种多通道LDMOS，包括位于衬底1中的源区5、漏区6、栅介质层10、场氧化层11、金属前介质12、漂移区2、衬底阱接触区4、衬底阱7、源极金属8和漏极金属9，所述衬底阱7与所述漂移区2间无间隔，所述漂移区2的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相同，所述衬底阱7的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反，还包括埋层条阵列，所述埋层条阵列包括至少一排横向排布的多个第一埋层条3A，所述埋层条阵列位于所述场氧化层11下方、被所述漂移区2包围且距离所述场氧化层11一段距离，所述第一埋层条3A的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反。本实用新型有效降低了LDMOS晶体管的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种多通道LDMOS，包括位于衬底(1)中的源区(5)、漏区(6)、栅介质层(10)、场氧化层(11)、金属前介质(12)、漂移区(2)、衬底阱接触区(4)、衬底阱(7)、源极金属(8)和漏极金属(9)，所述衬底阱(7)与所述漂移区(2)间无间隔，所述漂移区(2)的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相同，所述衬底阱(7)的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反，其特征在于，还包括埋层条阵列，所述埋层条阵列包括至少一排横向排布的多个第一埋层条(3A)，所述埋层条阵列位于所述场氧化层(11)下方、被所述漂移区(2)包围且距离所述场氧化层(11)一段距离，所述第一埋层条(3A)的导电类型与所述多通道LDMOS的沟道导电类型相反。
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