[实用新型]一种薄膜沉积设备和均热板有效
| 申请号： | 201120348642.2 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN202246834U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李晓飞;陈万海;王剑;刘远宏 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种薄膜沉积设备和均热板，涉及半导体技术领域，为减少反应腔室内的杂质微粒而设计。所述薄膜沉积设备，包括反应腔室，所述反应腔室内设置有加热板，所述加热板上设置有均热板，所述均热板远离所述加热板的上表面上设置有应力缓冲层，所述应力缓冲层的热膨胀系数介于所述均热板的热膨胀系数与所述薄膜沉积设备所沉积的薄膜的热膨胀系数之间。本实用新型可应用于薄膜沉积技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 沉积 设备 均热 | ||
【主权项】：
一种薄膜沉积设备，包括反应腔室，所述反应腔室内设置有加热板，所述加热板上设置有均热板，其特征在于，所述均热板远离所述加热板的上表面上设置有应力缓冲层，所述应力缓冲层的热膨胀系数介于所述均热板的热膨胀系数与所述薄膜沉积设备所沉积的薄膜的热膨胀系数之间。
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