[实用新型]白光LED外延结构有效
| 申请号： | 201120314404.X | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN202259402U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 吉爱华;谢卫国 | 申请（专利权）人： | 环科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/32 |
| 代理公司： | 温州新瓯专利事务所 33210 | 代理人： | 黄捷 |
| 地址： | 325013 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种白光LED外延结构，包括从下至上依次设置的SiC衬底、N-GaN接触层、GaN外延层、InGaN/GaN发光层、AlInGaP半导体复合物发光层和P+GaN接触层。本实用新型由GaN外延层、InGaN/GaN发光层发出蓝光，AlInGaP半导体复合物发光层则可以直接发出黄光，蓝光和黄光合成直接生成白光，无需使用荧光粉，不会光衰，发光质量好，提高了工作稳定性和使用寿命，减少了封装工序，可以使白光LED的外延、芯片、封装、应用整个产业链的生产工艺简化，生产效率高，适于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 白光 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种白光LED外延结构，包括从下至上依次设置的SiC衬底、N‑GaN接触层、GaN外延层、InGaN/GaN 发光层，其特征为：在InGaN/GaN 发光层（5）之上还依次设有AlInGaP半导体复合物发光层（6）和P+GaN接触层（7）。
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