[实用新型]太阳能硅片表面蚀刻装置及太阳能硅片的结构有效
申请号: | 201120261367.0 | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN202189816U | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 沈彪;李向清;胡德良 | 申请(专利权)人: | 江阴市爱多光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214423 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种太阳能硅片表面蚀刻装置及太阳能硅片的结构,该装置包含浸泡硅太阳能硅片的容器,在容器内装有酸性溶液及化学活性低于硅的金属化合物的混合溶液;太阳能硅片与所述混合溶液至少一表面接触,混合溶液中的金属化合物与太阳能硅片表面形成化学置换反应,使太阳能硅片的表面均匀附着有若干个金属原子,而在太阳能硅片被附着的表面并形成氧化区,氧化区受酸性溶液的侵蚀,进而形成若干个凹入表面的凹陷。该结构应用于太阳能电池中时,可增加太阳光二次入射的比率,来加强抗反射的目的。用浸泡方式以及化学置换反应即可成形,大大降低了加工工艺的复杂度以及制作成本,还可控制所述凹陷均匀铺设在所述太阳能硅片的表面。 | ||
搜索关键词: | 太阳能 硅片 表面 蚀刻 装置 结构 | ||
【主权项】:
一种太阳能硅片表面蚀刻装置,其特征在于,所述装置包含浸泡硅太阳能硅片的容器,在所述容器内装有酸性溶液及化学活性低于硅的金属化合物的混合溶液;所述太阳能硅片与所述混合溶液至少一表面接触,所述混合溶液中的金属化合物与太阳能硅片表面形成化学置换反应,使所述太阳能硅片的表面均匀附着有若干个金属原子,而在所述太阳能硅片被附着的表面并形成氧化区,所述氧化区受酸性溶液的侵蚀,进而形成若干个凹入表面的凹陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴市爱多光伏科技有限公司,未经江阴市爱多光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120261367.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的