[实用新型]太阳能硅片表面蚀刻装置及太阳能硅片的结构有效

专利信息
申请号: 201120261367.0 申请日: 2011-07-22
公开(公告)号: CN202189816U 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 沈彪;李向清;胡德良 申请(专利权)人: 江阴市爱多光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0352
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214423 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种太阳能硅片表面蚀刻装置及太阳能硅片的结构,该装置包含浸泡硅太阳能硅片的容器,在容器内装有酸性溶液及化学活性低于硅的金属化合物的混合溶液;太阳能硅片与所述混合溶液至少一表面接触,混合溶液中的金属化合物与太阳能硅片表面形成化学置换反应,使太阳能硅片的表面均匀附着有若干个金属原子,而在太阳能硅片被附着的表面并形成氧化区,氧化区受酸性溶液的侵蚀,进而形成若干个凹入表面的凹陷。该结构应用于太阳能电池中时,可增加太阳光二次入射的比率,来加强抗反射的目的。用浸泡方式以及化学置换反应即可成形,大大降低了加工工艺的复杂度以及制作成本,还可控制所述凹陷均匀铺设在所述太阳能硅片的表面。
搜索关键词: 太阳能 硅片 表面 蚀刻 装置 结构
【主权项】:
一种太阳能硅片表面蚀刻装置,其特征在于,所述装置包含浸泡硅太阳能硅片的容器,在所述容器内装有酸性溶液及化学活性低于硅的金属化合物的混合溶液;所述太阳能硅片与所述混合溶液至少一表面接触,所述混合溶液中的金属化合物与太阳能硅片表面形成化学置换反应,使所述太阳能硅片的表面均匀附着有若干个金属原子,而在所述太阳能硅片被附着的表面并形成氧化区,所述氧化区受酸性溶液的侵蚀,进而形成若干个凹入表面的凹陷。
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