[实用新型]3300伏平面非穿通型绝缘栅极晶体管芯片有效
| 申请号： | 201120255381.X | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN202217666U | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 刘闯;饶祖刚 | 申请（专利权）人： | 天津中环半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 莫琪 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种3300伏平面非穿通型绝缘栅极晶体管芯片，采用中子辐照掺杂的区溶单晶抛光片；其掺杂浓度在2E13cm-3和2.3E13cm-3之间；其少子寿命分布在100微秒到1毫秒之间；采用逐级分布式的结终端扩展技术，其结深在6微米和7微米之间；浓度分布在E14cm-3和E17cm-3之间；扩散前，结终端注入区和间距的和在34微米和40微米之间；其间距由元胞区向外逐级增大1微米到2微米之间，其优点是在保证耐压的前提下，有效降低芯片面积，简化制造工艺；采用与平面VDMOS兼容的制作工艺，有利于制造。 | ||
| 搜索关键词： | 3300 平面 非穿通型 绝缘 栅极 晶体管 芯片 | ||
【主权项】：
一种3300伏平面非穿通型绝缘栅极晶体管芯片，其特征在于，采用中子辐照掺杂的区溶单晶抛光片；其掺杂浓度在2E13cm‑3和2.3E13cm‑3之间。
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