[实用新型]一种阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201120246626.2 | 申请日： | 2011-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN202217663U | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李晓坤;李成 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 蒋雅洁;程立民 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种阵列基板和显示装置，阵列基板包括：m×n个像素电极、栅极线、数据线和薄膜晶体管(TFT)，TFT的栅极连接栅极线；TFT的源极和漏极的其中之一连接数据线，另一极连接像素电极；栅极线的数量为2n；数据线的数量为m；TFT共设有2n×m个，每个像素电极均连接两个TFT，且所述两个TFT连接的栅极线和数据线均不相同；m和n均为正整数。本实用新型阵列基板能够保证液晶面板在发生栅极线或数据线断开时仍能正常工作；并且能够保证像素电极足够的充电率，从而保证画面品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括：m×n个像素电极、栅极线、数据线和薄膜晶体管TFT，所述TFT的栅极连接所述栅极线；所述TFT的源极和漏极的其中之一连接所述数据线，另一极连接所述像素电极；其特征在于，所述栅极线的数量为2n；所述数据线的数量为m；所述TFT共设有2n×m个，每个像素电极均连接两个TFT，且所述两个TFT连接的栅极线和数据线均不相同；所述m和n均为正整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120246626.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
