[实用新型]圆弧形微带曲线平面慢波器件无效

专利信息
申请号: 201120188012.3 申请日: 2011-06-07
公开(公告)号: CN202120859U 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 段兆云;刁鹏;林娴静 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01J23/24 分类号: H01J23/24
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 詹福五
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型属于微波真空电子技术中与行波管配套用半圆弧形微带曲线平面慢波器件,包括:氮化硼基片,固定于基片上带输入、输出端的半圆环形微带曲线以及金属外壳。该实用新型采用连接部位为光滑半圆弧形的微带曲线、以及介电常数较低、而抗压强度、硬度及导热系数均很高的氮化硼作基片;既提高了慢波器件的耦合阻抗及输出功率、又有效地提高了基片的强度、散热性及慢波器件生产中的成品率和使用寿命。因而具有在微带曲线平面慢波器件小型化的同时、能在毫米波以上频段稳定、可靠地工作,且散热性好、耦合阻抗及输出功率高,与工作在毫米波频段以上的行波管配套使用时的性能及可靠性高,慢波器件生产中的成品率高、使用寿命长等特点。
搜索关键词: 圆弧 微带 曲线 平面 器件
【主权项】:
一种圆弧形微带曲线平面慢波器件,包括基片,固定于基片上带输入、输出端的由一组相互平行、等距排列且首、尾相连的微带曲线以及金属外壳,其特征在于基片为氮化硼基片,而固定于基片上的相互平行、等距排列且首、尾相连的微带曲线的连接部位为半圆环形微带曲线,微带曲线底面与基片上表面按传统的溅射沉淀法固定成一体。
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